[13272pcs Estoque]
- Número da peça:
- TPCC8005-H(TE12LQM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H(TE12LQM electronic components. TPCC8005-H(TE12LQM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCC8005-H(TE12LQM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCC8005-H(TE12LQM Atributos do produto
Número da peça :
TPCC8005-H(TE12LQM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Series :
U-MOSVI-H
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
26A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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