CSD16323Q3 Preços (USD) [208752pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18252
- 2,500 pcs$0.18161
- Número da peça:
- CSD16323Q3
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Texas Instruments CSD16323Q3 electronic components. CSD16323Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD16323Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD16323Q3 Atributos do produto
Número da peça :
CSD16323Q3
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Ta), 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
+10V, -8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 12.5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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