FDN337N Preços (USD) [688873pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05396
- 3,000 pcs$0.05369
- Número da peça:
- FDN337N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDN337N electronic components. FDN337N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN337N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN337N Atributos do produto
Número da peça :
FDN337N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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