SI4158DY-T1-GE3 Preços (USD) [1420pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.28626
- Número da peça:
- SI4158DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4158DY-T1-GE3 electronic components. SI4158DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4158DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4158DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4158DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
36.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
132nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5710pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta), 6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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