[13102pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPS03N03LB G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 90A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPS03N03LB G electronic components. IPS03N03LB G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS03N03LB G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS03N03LB G Atributos do produto
Número da peça :
IPS03N03LB G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
115W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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