Vishay Siliconix - SI4388DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524048

[3961pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI4388DY-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4388DY-T1-GE3 electronic components. SI4388DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4388DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4388DY-T1-GE3 Atributos do produto

    Número da peça : SI4388DY-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Recurso FET : Standard
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.7A, 11.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 946pF @ 15V
    Potência - Max : 3.3W, 3.5W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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