Infineon Technologies - IPN60R1K5CEATMA1

KEY Part #: K6421206

IPN60R1K5CEATMA1 Preços (USD) [392303pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09428
  • 3,000 pcs$0.07782

Número da peça:
IPN60R1K5CEATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
CONSUMER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R1K5CEATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPN60R1K5CEATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : CONSUMER
Series : CoolMOS™ CE
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 5W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT223
Pacote / caso : SOT-223-3

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