ON Semiconductor - FDH038AN08A1

KEY Part #: K6392621

FDH038AN08A1 Preços (USD) [12638pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.93682
  • 100 pcs$2.41486
  • 500 pcs$2.02328

Número da peça:
FDH038AN08A1
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDH038AN08A1 Atributos do produto

Número da peça : FDH038AN08A1
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8665pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 450W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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