ON Semiconductor - FQP30N06L

KEY Part #: K6417027

FQP30N06L Preços (USD) [63618pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.30617
  • 1,000 pcs$0.24171

Número da peça:
FQP30N06L
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP30N06L Atributos do produto

Número da peça : FQP30N06L
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 79W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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