ON Semiconductor - NVB082N65S3F

KEY Part #: K6394073

NVB082N65S3F Preços (USD) [27316pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.50878

Número da peça:
NVB082N65S3F
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
SUPERFET3 650V D2PAK PKG.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVB082N65S3F Atributos do produto

Número da peça : NVB082N65S3F
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Series : *
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3410pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 313W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK-3 (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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