RQ3L050GNTB Preços (USD) [352830pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11589
- 3,000 pcs$0.11532
- Número da peça:
- RQ3L050GNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3L050GNTB electronic components. RQ3L050GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3L050GNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3L050GNTB Atributos do produto
Número da peça :
RQ3L050GNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
61 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
14.8W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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