ON Semiconductor - NVMFD5C470NLWFT1G

KEY Part #: K6522717

NVMFD5C470NLWFT1G Preços (USD) [212524pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17404

Número da peça:
NVMFD5C470NLWFT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C470NLWFT1G Atributos do produto

Número da peça : NVMFD5C470NLWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 25V
Potência - Max : 3W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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