C3M0120090D Preços (USD) [13854pcs Estoque]
- 1 pcs$2.97472
- Número da peça:
- C3M0120090D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrição detalhada:
- 900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0120090D electronic components. C3M0120090D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0120090D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0120090D Atributos do produto
Número da peça :
C3M0120090D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrição :
900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET
Series :
C3M™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17.3nC @ 15V
Vgs (máx.) :
+18V, -8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 600V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
97W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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