[860pcs Estoque]
- Número da peça:
- TPC8110(TE12L,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110(TE12L,Q,M) electronic components. TPC8110(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8110(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8110(TE12L,Q,M) Atributos do produto
Número da peça :
TPC8110(TE12L,Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
Series :
U-MOSIII
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2180pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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