IXFH80N65X2-4 Preços (USD) [9197pcs Estoque]
- 1 pcs$4.48104
- Número da peça:
- IXFH80N65X2-4
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IXFH80N65X2-4 Atributos do produto
Número da peça :
IXFH80N65X2-4
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8300pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-4L
Pacote / caso :
TO-247-4
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