Diodes Incorporated - ZVN4306GTA

KEY Part #: K6416007

ZVN4306GTA Preços (USD) [141698pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.26234
  • 1,000 pcs$0.26103

Número da peça:
ZVN4306GTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZVN4306GTA Atributos do produto

Número da peça : ZVN4306GTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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