STMicroelectronics - STP30NM60ND

KEY Part #: K6415557

[12369pcs Estoque]


    Número da peça:
    STP30NM60ND
    Fabricante:
    STMicroelectronics
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in STMicroelectronics STP30NM60ND electronic components. STP30NM60ND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP30NM60ND, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP30NM60ND Atributos do produto

    Número da peça : STP30NM60ND
    Fabricante : STMicroelectronics
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
    Series : FDmesh™ II
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±25V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 50V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 190W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
    Pacote / caso : TO-220-3

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