SI4143DY-T1-GE3 Preços (USD) [277956pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.31126
- 100 pcs$0.24015
- 500 pcs$0.17790
- 1,000 pcs$0.14232
- Número da peça:
- SI4143DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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SI4143DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4143DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.2 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
167nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6630pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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