ON Semiconductor - FDD86567-F085

KEY Part #: K6403457

FDD86567-F085 Preços (USD) [132017pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.28017

Número da peça:
FDD86567-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86567-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDD86567-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4950pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 227W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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