DMP56D0UFB-7 Preços (USD) [727113pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05087
- 3,000 pcs$0.04620
- Número da peça:
- DMP56D0UFB-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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DMP56D0UFB-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMP56D0UFB-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
50V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.58nC @ 4V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
50.54pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
425mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacote / caso :
3-UFDFN
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