Vishay Siliconix - SUM60N02-3M9P-E3

KEY Part #: K6404331

SUM60N02-3M9P-E3 Preços (USD) [2049pcs Estoque]

  • 800 pcs$1.04859

Número da peça:
SUM60N02-3M9P-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM60N02-3M9P-E3 Atributos do produto

Número da peça : SUM60N02-3M9P-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5950pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D2Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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