ON Semiconductor - MCH3376-TL-E

KEY Part #: K6421563

MCH3376-TL-E Preços (USD) [821443pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04503
  • 6,000 pcs$0.04253

Número da peça:
MCH3376-TL-E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MCH3376-TL-E Atributos do produto

Número da peça : MCH3376-TL-E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 241 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-MCPH
Pacote / caso : 3-SMD, Flat Leads