[2644pcs Estoque]
- Número da peça:
- GP1M010A060H
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M010A060H electronic components. GP1M010A060H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M010A060H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M010A060H Atributos do produto
Número da peça :
GP1M010A060H
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1891pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
198W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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