SISA40DN-T1-GE3 Preços (USD) [272465pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13575
- Número da peça:
- SISA40DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Vantagem competitiva:
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SISA40DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SISA40DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
43.7A (Ta), 162A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máx.) :
+12V, -8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3415pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
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