Infineon Technologies - BSC500N20NS3GATMA1

KEY Part #: K6419484

BSC500N20NS3GATMA1 Preços (USD) [114454pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.29653

Número da peça:
BSC500N20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC500N20NS3GATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSC500N20NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1580pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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