ON Semiconductor - FDFME3N311ZT

KEY Part #: K6404283

FDFME3N311ZT Preços (USD) [2066pcs Estoque]

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Número da peça:
FDFME3N311ZT
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDFME3N311ZT Atributos do produto

Número da peça : FDFME3N311ZT
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 15V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 1.4W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-MicroFET (1.6x1.6)
Pacote / caso : 6-UFDFN Exposed Pad

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