CSD19533Q5A Preços (USD) [153564pcs Estoque]
- 1 pcs$0.24086
- 2,500 pcs$0.23754
- Número da peça:
- CSD19533Q5A
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 100A 8SON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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CSD19533Q5A Atributos do produto
Número da peça :
CSD19533Q5A
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.4 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2670pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSONP (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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