IPN70R1K4P7SATMA1 Preços (USD) [376160pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09833
- 3,000 pcs$0.09043
- Número da peça:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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IPN70R1K4P7SATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPN70R1K4P7SATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
158pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
6.2W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223
Pacote / caso :
TO-261-3
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