IXYS - IXFT12N100Q

KEY Part #: K6408863

[481pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFT12N100Q
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Zener - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFT12N100Q electronic components. IXFT12N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT12N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFT12N100Q Atributos do produto

    Número da peça : IXFT12N100Q
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
    Series : HiPerFET™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
    Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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