ON Semiconductor - FDS6375

KEY Part #: K6415711

FDS6375 Preços (USD) [261510pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15310
  • 2,500 pcs$0.15234

Número da peça:
FDS6375
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6375 Atributos do produto

Número da peça : FDS6375
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2694pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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