Texas Instruments - CSD22204WT

KEY Part #: K6411859

CSD22204WT Preços (USD) [219862pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16823
  • 250 pcs$0.16097
  • 1,250 pcs$0.10022

Número da peça:
CSD22204WT
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 8V 9DSBGA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD22204WT Atributos do produto

Número da peça : CSD22204WT
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 8V 9DSBGA
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 4V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.7W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 9-DSBGA
Pacote / caso : 9-UFBGA, DSBGA

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