SI7309DN-T1-GE3 Preços (USD) [190084pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19459
- 3,000 pcs$0.18272
- Número da peça:
- SI7309DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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SI7309DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7309DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
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