ON Semiconductor - NTD3055L104-1G

KEY Part #: K6411616

NTD3055L104-1G Preços (USD) [139583pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.13763
  • 1,000 pcs$0.10635

Número da peça:
NTD3055L104-1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD3055L104-1G Atributos do produto

Número da peça : NTD3055L104-1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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