[12463pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSP030,115
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 10A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BSP030,115 electronic components. BSP030,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP030,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP030,115 Atributos do produto
Número da peça :
BSP030,115
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 24V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
8.3W (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-73
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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