RSH110N03TB1 Preços (USD) [186593pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21914
- 2,500 pcs$0.21805
- Número da peça:
- RSH110N03TB1
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSH110N03TB1 electronic components. RSH110N03TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSH110N03TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSH110N03TB1 Atributos do produto
Número da peça :
RSH110N03TB1
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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