Nexperia USA Inc. - NX7002BKR

KEY Part #: K6417535

NX7002BKR Preços (USD) [2506603pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.01483
  • 3,000 pcs$0.01476

Número da peça:
NX7002BKR
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NX7002BKR Atributos do produto

Número da peça : NX7002BKR
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 270mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 23.6pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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