Infineon Technologies - BSD316SNL6327XT

KEY Part #: K6404206

BSD316SNL6327XT Preços (USD) [2091pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.03872

Número da peça:
BSD316SNL6327XT
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD316SNL6327XT Atributos do produto

Número da peça : BSD316SNL6327XT
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 3.7µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 94pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT363-6
Pacote / caso : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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