ON Semiconductor - FCH25N60N

KEY Part #: K6416559

FCH25N60N Preços (USD) [15770pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.83409
  • 10 pcs$3.44892
  • 100 pcs$2.83577
  • 500 pcs$2.37591
  • 1,000 pcs$2.06934

Número da peça:
FCH25N60N
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH25N60N Atributos do produto

Número da peça : FCH25N60N
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Series : SupreMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 126 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3352pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 216W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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