STW18N60DM2 Preços (USD) [27751pcs Estoque]
- 1 pcs$1.40583
- 10 pcs$1.26922
- 100 pcs$0.96753
- 500 pcs$0.75253
- 1,000 pcs$0.62353
- Número da peça:
- STW18N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 12A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STW18N60DM2 electronic components. STW18N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW18N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW18N60DM2 Atributos do produto
Número da peça :
STW18N60DM2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 12A
Series :
MDmesh™ DM2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
295 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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