BSC010NE2LSIATMA1 Preços (USD) [116263pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31813
- Número da peça:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1 electronic components. BSC010NE2LSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC010NE2LSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC010NE2LSIATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC010NE2LSIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
38A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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