Infineon Technologies - IRFSL7530PBF

KEY Part #: K6418110

IRFSL7530PBF Preços (USD) [51793pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.75494
  • 1,000 pcs$0.72474

Número da peça:
IRFSL7530PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFSL7530PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFSL7530PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Series : HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 411nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13703pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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