Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K376R,LF

KEY Part #: K6421641

SSM3K376R,LF Preços (USD) [1230545pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03006

Número da peça:
SSM3K376R,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID 4A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K376R,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM3K376R,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID 4A
Series : U-MOSVII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : +12V, -8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23F
Pacote / caso : SOT-23-3 Flat Leads

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