FDFMA2P029Z Preços (USD) [316431pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11747
- 3,000 pcs$0.11689
- Número da peça:
- FDFMA2P029Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDFMA2P029Z electronic components. FDFMA2P029Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFMA2P029Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFMA2P029Z Atributos do produto
Número da peça :
FDFMA2P029Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 10V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.4W (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso :
6-VDFN Exposed Pad
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