NVMFS5C612NLT1G Preços (USD) [13455pcs Estoque]
- 1,500 pcs$0.71109
- Número da peça:
- NVMFS5C612NLT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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NVMFS5C612NLT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS5C612NLT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
Series :
-
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
36A (Ta), 235A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6660pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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