BSS806NH6327XTSA1 Preços (USD) [907269pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04077
- 3,000 pcs$0.03254
- Número da peça:
- BSS806NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 electronic components. BSS806NH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS806NH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS806NH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSS806NH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
750mV @ 11µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 2.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
529pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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