ON Semiconductor - FDPF8N50NZ

KEY Part #: K6417993

FDPF8N50NZ Preços (USD) [48206pcs Estoque]

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Número da peça:
FDPF8N50NZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF8N50NZ Atributos do produto

Número da peça : FDPF8N50NZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Series : UniFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 40.3W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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