FDD86326 Preços (USD) [114503pcs Estoque]
- 1 pcs$0.32464
- 2,500 pcs$0.32302
- Número da peça:
- FDD86326
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD86326 electronic components. FDD86326 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86326, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD86326 Atributos do produto
Número da peça :
FDD86326
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta), 37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1035pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-PAK (TO-252)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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