Infineon Technologies - BSS84PH6433XTMA1

KEY Part #: K6416370

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Número da peça:
BSS84PH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS84PH6433XTMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS84PH6433XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
Series : SIPMOS®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 19pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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