IXYS - IXFH52N30Q

KEY Part #: K6397804

IXFH52N30Q Preços (USD) [7026pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.74712
  • 10 pcs$6.13234
  • 100 pcs$5.21251

Número da peça:
IXFH52N30Q
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH52N30Q Atributos do produto

Número da peça : IXFH52N30Q
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso : TO-247-3

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