IRF60R217 Preços (USD) [121126pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71077
- 10 pcs$0.62924
- 100 pcs$0.49720
- 500 pcs$0.38558
- 1,000 pcs$0.28795
- Número da peça:
- IRF60R217
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 58A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF60R217 electronic components. IRF60R217 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF60R217, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF60R217 Atributos do produto
Número da peça :
IRF60R217
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 58A
Series :
StrongIRFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
66nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2170pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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